在半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，從半導(dǎo)體單晶片到芯片的制作過(guò)程中需要經(jīng)歷數(shù)百道工序。為了確保產(chǎn)品性能符合標(biāo)準(zhǔn)，穩(wěn)定可靠，并且有高的成品率，每個(gè)工藝步驟都必須有嚴(yán)格的具體要求。因此，在生產(chǎn)過(guò)程中必須建立相應(yīng)的系統(tǒng)和精確的監(jiān)控措施，首要是從半導(dǎo)體工藝檢測(cè)開(kāi)始。檢測(cè)是貫穿整個(gè)芯片制造過(guò)程的，因此檢測(cè)設(shè)備也是半導(dǎo)體生產(chǎn)中最獨(dú)特的設(shè)備體系，包括多種檢測(cè)流程，多種檢測(cè)設(shè)備。



半導(dǎo)體檢測(cè)，首先最需要的就是穩(wěn)定性，端徑跳足夠小，速度穩(wěn)定性足夠高，其次是精度足夠高。

德瑪特氣浮系列，具有高精度，高穩(wěn)定性特點(diǎn)。對(duì)于旋轉(zhuǎn)類(lèi)檢測(cè)，如探針臺(tái)、對(duì)位轉(zhuǎn)臺(tái)，有氣浮旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，對(duì)于直線類(lèi)檢測(cè)，有氣浮直線平臺(tái)。

氣浮直線平臺(tái)airDDLP系列，直線度±0.25~±4μm，重復(fù)精度低至±2μm。適合滿足晶圓檢測(cè)、高精度計(jì)量、X 射線衍射系統(tǒng)、光學(xué)檢測(cè)和制造以及 MEMS/納米技術(shù)器件制造的嚴(yán)格要求。

氣浮旋轉(zhuǎn)平臺(tái)airUPRT氣浮旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，端跳低至70納米，徑跳100納米，具備高穩(wěn)定性，適合半導(dǎo)體檢測(cè)、劃片、減薄等多種流程。